Это платное пресс-релиз. Свяжитесь напрямую с распространителем пресс-релизов по любым вопросам.

ITRI закладывает фундамент для Центра исследований и разработок передовых полупроводников с пилотной линией диаметром 12 дюймов

PR Newswire

Суббота, 14 февраля 2026 г., 20:13 GMT+9 2 мин чтения

HSINCHU, 14 февраля 2026 г. /PRNewswire/ – Центр исследований и разработок передовых полупроводников официально заложил фундамент на территории головного кампуса Института промышленной технологии (ITRI) в Хсинчу. Совместно разработанный Министерством экономических дел Тайваня, Национальным советом по развитию и Национальным советом по науке и технологиям, центр предназначен для снижения барьеров верификации для малых и средних компаний по проектированию интегральных схем и стартапов, сокращая разрыв между лабораторными исследованиями и промышленной коммерциализацией. Он также предоставит платформу для поставщиков материалов и оборудования для проверки новых технологий. Благодаря внедрению передовых технологий, таких как AI-чипы, кремниевая фотоника и квантовые технологии, центр дополнительно укрепит лидерство Тайваня в глобальной экосистеме полупроводников.

Церемония закладки фундамента Центра исследований и разработок передовых полупроводников прошла в головном офисе ITRI в Хсинчу, Тайвань.

Планируется завершить строительство к концу 2027 года, центр обеспечит три основные функции: инновационную проверку проектирования интегральных схем, развитие передовых процессов и локальную проверку оборудования и материалов. В нем будет размещена первая в Тайване 12-дюймовая пилотная линия, созданная исследовательским институтом, дополненная модернизированными 8-дюймовыми мощностями, что сформирует интегрированную среду, объединяющую проектирование чипов, производство, упаковку и тестирование.

Министр экономических дел Кун Мин-син отметил, что в прошлом году экономика Тайваня выросла на 8,36%, в значительной степени благодаря полупроводниковой и AI-индустриям, и прогнозы роста продолжают оставаться положительными. Он подчеркнул роль министерства в поддержке малых и средних предприятий через небольшие, диверсифицированные и специализированные прототипы чипов. В качестве ключевой инициативы для МСП и стартапов центр предоставляет универсальную платформу для услуг, охватывающих проектирование, производство, упаковку и тестирование. Он позволит поставщикам оборудования и материалов проводить демонстрации и проверки на месте, ускоряя их интеграцию в глобальные цепочки поставок. Министр Кун выразил надежду, что этот центр исследований и разработок ускорит развитие устойчивой, автономной и следующего поколения инновационной экосистемы полупроводников в Тайване.

Центр исследований и разработок передовых полупроводников предоставит услуги по разработке процессов и пилотному производству в диапазоне 28–90 нм, с целью сокращения циклов разработки продуктов примерно на 30%. Поддерживая передовые технологии, такие как квантовые вычисления, кремниевая фотоника, ASIC, 3D-интеграция и память следующего поколения, этот центр поможет Тайваню построить устойчивую инновационную экосистему, углубить академическое сотрудничество и расширить кадровый потенциал в области полупроводников.

Продолжение следует  

**Об ITRI

**Институт промышленной технологии (ITRI) — ведущая мировая организация в области исследований и разработок, стремящаяся к созданию лучшего будущего. Основанный в 1973 году, ITRI сыграл важную роль в трансформации тайваньской промышленности с трудоемкой на инновационную. За годы своей деятельности ITRI инкубировал сотни стартапов и спин-оффов, включая такие известные компании, как UMC и TSMC. Штаб-квартира расположена в Тайване, также есть офисы в США, Германии, Великобритании, Японии и Таиланде. Для получения дополнительной информации посетите https://www.itri.org/eng.

Cision

Посмотреть оригинальный контент для загрузки мультимедиа: https://www.prnewswire.com/news-releases/itri-breaks-ground-on-advanced-semiconductor-rd-center-featuring-a-12-inch-pilot-line-302688240.html

Условия и политика конфиденциальности

Панель управления конфиденциальностью

Подробнее